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2014/11/05

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iPhone 6 Plus 恐大規模召回?


工商時報【記者吳筱雯、林淑惠╱台北報導】
蘋果128GB版iPhone 6 Plus問題頻傳,大規模召回難避免?韓國網站Business Korea指出,蘋果為了降低成本而使用TLC型NAND快閃記憶體,然而TLC型快閃記憶體、控制晶片出問題機率也高,如果問題真的出在快閃記憶體與控制晶片,是無法用韌體更新來解決,蘋果將難避免全面召回128GB版6 Plus。
對此,中華電信總經理石木標說,目前沒有聽說,通路商昨日亦表示,並未接獲蘋果電腦指示全面召回i6 Plus 128GB手機相關訊息。
蘋果iPhone 6 Plus從上市以來,就頻繁出現切換應用程式時當機、重開機等問題,有用戶甚至因此而連續更換4支6 Plus,而根據韓國網站Business Korea報導,Business Korea指出,128GB版本的iPhone 6 Plus之所以問題頻傳,原因應是蘋果採用成本較低的TLC型NAND快閃記憶體。
在同樣的電晶體數量下,TLC型NAND快閃記憶體可以寫入比SLC型多2、3倍的資料量,價格也比SLC、MLC型便宜一些,但有一好沒兩好,TLC型快閃記憶體的資料讀取與寫入速度、穩定度,就遠不如SLC、MLC型,也因此,蘋果以往只有在部分iPad機種上採用TLC型快閃記憶體,iPhone上一向都只使用MLC型快閃記憶體。
而除了快閃記憶體本身特性帶來的問題外,快閃記憶體控制晶片也被Business Korea認為是128GB版本6 Plus問題頻傳的原因之一。
快閃記憶體在寫入資料時本來三不五時就會出錯,快閃記憶體控制晶片最重要的任務之一就是偵錯並修正,不過,TLC由於可以寫入比SLC高的資料量,TLC控制晶片得藉由控制高達8種不同的電壓,來達成此一任務,比起SLC只需控制兩種電壓、MLC控制4種電壓來說,TLC快閃記憶體、TLC控制晶片出錯的機率也更高。
Business Korea進一步表示,如果TLC型快閃記憶體、控制晶片是128GB版iPhone 6 Plus問題頻傳的主因,那麼可能必須大規模召回。



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